外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

摘要：

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.

关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管、电磁脉冲、外界条件、损伤过程

所属期刊栏目：66

分类号：TN3;X59

资助基金：中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室开放基金批准号:2015-0214.XY.K资助的课题.Project supported by the Open Fund of Key Laboratory of Complex Electromagnetic Environment Science and Technology,China Academy of Engineering Physics Grant 2015-0214.XY.K

在线出版日期：2017-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：389-395