具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要：

为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94％左右,并且优值也从0.55 MW/cm2提升到1.24 MW/cm2,提升了125％.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V.

关键词：辅助耗尽衬底层、横向双扩散功率器件、击穿电压、优值

所属期刊栏目：66

分类号：TN4;TH1

资助基金：国家重点基础研究发展计划2014CB339900,2015CB351906;国家自然科学基金重点项目批准号:61234006,61334002资助的课题.Project supported by the National Basic Research Program of ChinaGrant .2014CB339900,2015CB351906;the Key Program of the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61234006,61334002

在线出版日期：2017-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：382-388