γ射线总剂量辐照对单轴应变Si内米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响

摘要：

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.

关键词：单轴应变Si、纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管、总剂量、栅隧穿电流

所属期刊栏目：66

分类号：TQ3;TN3

资助基金：国家自然科学基金61474085;陕西省科技计划项目批准号:2016GY-085资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61474085;the Science Research Plan in Shaanxi Province of ChinaGrant 2016GY-085

在线出版日期：2017-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：361-369