InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究

摘要：

InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465℃),然后依次升高分别选取465,500,545,580℃生长AlGaAs势垒层,从而获得四个不同的多量子阱样品.通过荧光光谱以及X射线衍射测试系统分析了势垒层生长温度对InGaAs量子阱发光和质量的影响,并较准确地给出了量子阱大致的温致弛豫轨迹:465—500℃,开始出现相分离,但缺陷水平较低,属弹性弛豫阶段;500—545℃,相分离加剧并伴随缺陷水平的上升,属弹性弛豫向塑性弛豫过渡阶段;545—580℃,相分离以及缺陷水平急剧上升,迅速进入塑性弛豫阶段,尤其是580℃时,量子阱的材料质量被严重破坏.

关键词：中波红外探测、量子阱红外探测器件、InGaAs/AlGaAs多量子阱、温致弛豫

所属期刊栏目：66

分类号：TN3;O4

资助基金：国家自然科学基金11504251;江苏高校优势学科建设工程、科技部国际合作项目2013DFG12210;江苏省高校自然科学研究重大项目12 KJA140001;江苏省普通高校研究生科研创新计划批准号:KYLX15_1252资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11504251;the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions;China, the International Cooperation Project by MOST, ChinaGrant 2013DFG12210;the Natural Science Research Project of Jiangsu Higher Education, ChinaGrant 12KJA140001;the Post-graduate Innovation Project of Jiangsu Higher Education, ChinaGrant KYLX15_1252

在线出版日期：2017-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：371-378