总剂量辐照对热载流子效应的影响研究?

摘要：

研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件热载流子测试的影响.试验结果表明：经过100 krad(Si)总剂量辐照后进行5000 s的热载流子测试， NMOS器件阈值电压随着总剂量的增大而减小，然后随热载流子测试时间的增加而增大，且变化值远远超过未经过总剂量辐照的器件；总剂量辐照后经过200 h高温退火，再进行5000 s的热载流子测试，其热载流子退化值远小于未高温退火的样品，但比未辐照的样品更明显，即总剂量辐照与热载流子的协同效应要超过两种效应的简单叠加.根据两种效应的原理分析，认为总剂量辐照感生氧化层陷阱电荷中的空穴与热电子复合减少了正氧化层的陷阱电荷，但辐照感生界面态俘获热电子形成负的界面陷阱电荷，表现为两者的协同效应模拟方式比单机理模拟方式对器件的影响更严重.

关键词：总剂量辐照、热载流子效应、协同效应

所属期刊栏目：65

分类号：TN3;TN4

资助基金：国家自然科学基金61574048,61204112;广东省科技重大专项批准号:2015B090912002资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61574048,61204112;the Science and Technology Research Project of Guangdong, ChinaGrant 2015B090912002

在线出版日期：2017-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：246101-1-246101-7