基于4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线探测器

摘要：

针对极端环境下耐高温和耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用外延层厚度为100μm的4H碳化硅(4H-SiC)制备成肖特基二极管探测器,研究了该探测器对241Am源γ射线的能谱响应.采用磁控溅射金属Ni制备了肖特基二极管的欧姆接触和肖特基接触,利用室温电流-电压和电容-电压测试研究了二极管的电学特性.欧姆特性测试表明,1050 ℃退火时,欧姆接触特性最好.从正向电流-电压曲线得出二极管肖特基势垒高度为1.617 eV,理想因子为1.127,表明探测器具备良好的热电子发射特性.从电容-电压曲线获得二极管外延层净掺杂浓度为2.903×1014 cm-3,并研究了自由载流子浓度在外延层中的纵向分布.在反向偏压为500 V时,二极管的漏电流只有2.11 nA,具有较高的击穿电压.测得在-300V条件下,SiC二极管探测器对能量为59.5 keV的γ射线的能量分辨率为9.49％ (5.65 keV).

关键词：4H-SiC、宽禁带半导体、肖特基二极管、γ射线探测器

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资助基金：国家自然科学基金批准号:11203026资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant No.11203026.

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：212-219