利用p-n+结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法?

摘要：

提出了一种利用p-n+结反向I-V 特性随偏压变化的关系计算p-GaN载流子浓度的方法。研究发现，当p-n+中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n 结电流特性，当反向偏压增加到一定值时， p-GaN层就完全耗尽， p-n+结特性就变成了肖特基结特性，反向电流显著增加。找到达到稳定反向电流的临界电压值，就可以计算出p-GaN的载流子浓度。模拟结果验证了这个思想，计算得到的p-GaN载流子浓度与设定值基本一致。

关键词：p-n+结、反向I-V 特性、p-GaN载流子浓度

所属期刊栏目：65

分类号：TH1;TP3

资助基金：国家自然科学基金61474142,21403297和11474355资助的课题

在线出版日期：2016-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：197302-1-197302-5