基于KH550-GO固态电解质中电容耦合作用的双侧栅IZO薄膜晶体管?

摘要：

本文利用旋涂技术在氧化铟锡塑料衬底上，制备了硅烷偶联剂(γ-氨丙基三乙氧基硅烷)-氧化石墨烯固态电解质；以此固态电解质作为栅介质，进一步研究了双侧栅耦合电场质子/电子杂化氧化铟锌薄膜晶体管的电学特性.研究发现γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固态电解质的双电层电容和质子电导率分别高达2.03μF/cm2和6.99×10?3 S/cm；由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯复合固态电解质具有较大的双电层电容和质子电导率，利用其作为栅介质的质子/电子杂化氧化铟锌薄膜晶体管功耗低(其工作电压仅为约2 V)，其开关比和场效应迁移率分别为1.23×107和24.72 cm2/(V·s).由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固态电解质的电容耦合作用，氧化铟锌薄膜晶体管在双侧栅电压刺激下，可有效地调控器件的阈值电压、亚阈值摆幅和场效应迁移率，并可实现“与”门逻辑运算功能.

关键词：KH550-GO复合固态电解质、双电层效应、质子导体膜、电容耦合

所属期刊栏目：65

分类号：TM9;TP2

资助基金：国家自然科学基金51402321;江苏省光伏科学与技术国家重点实验室培育建设点开放课题基金SKLP-STKF201503;江苏省博士后科研资助计划1402071B;江苏大学高级人才基金14JDG049资助的课题

在线出版日期：2016-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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