工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性?
p型金属氧化层半导体、负偏置温度不稳定性、工艺偏差、阈值电压
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TN4;O4
国家自然科学基金61574109;微光夜视技术重点实验室基金项目9140C380502150C38001;中央高校基本科研业务费批准号:JB141109资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61574109;the Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory, ChinaGrant 9140C380502150C38001;the Fundamental Research Fund for the Central Universities, ChinaGrant JB141109
2016-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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