三维a-IGZO薄膜中的电子-电子散射?

摘要：

本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜，并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究。研究发现，所有a-IGZO薄膜中，载流子浓度均不随温度变化，高温区的电阻-温度系数为正，说明样品具有类金属导电特性。通过对薄膜低温磁电阻的测量，获得了电子退相干散射率与温度的关系。分析表明，薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率，小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系。

关键词：电子散射、弱局域效应、电子输运性质

所属期刊栏目：65

分类号：O41;O4

资助基金：国家自然科学基金11174216;高等学校博士学科点专项科研基金批准号:20120032110065资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11174216;the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant 20120032110065

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：167301-1-167301-6