一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法?

摘要：

采用点缺陷线性分布模型，利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法。用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品，用Srikant方法拟合得到了位错密度。结果表明两种方法高度一致。进一步的研究表明，新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致，相关拟合参数与采用Rode迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致。研究还表明，新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响，测试剔除界面层影响后的整个外延层的刃、螺位错密度，而不是穿透位错密度。该方法适合霍尔迁移率曲线峰位在200 K左右及以下并且峰位明确的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜和体材料，具有对迁移率曲线高度拟合，材料参数精确，计算简便、收敛速度快等优点。

关键词：氮化镓、霍尔迁移率、位错密度、Rode迭代法

所属期刊栏目：65

分类号：TB3;TG1

资助基金：江西省自然科学基金20151BAB207066;南昌大学科学技术学院自然科学基金批准号:2012-ZR-06资助的课题.* Project supported by the Natural Science Foundation of Jiangxi Province, ChinaGrant 20151BAB207066;the Natural Science Foundation of College of Science and Technology of Nanchang University, ChinaGrant 2012-ZR-06

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：167201-1-167201-8