高功率、高效率808 nm半导体激光器阵列?

摘要：

通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm ?1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

关键词：半导体激光器阵列、电光转换效率、光吸收损耗、非对称宽波导结构

所属期刊栏目：65

分类号：TN2;TN3

资助基金：国家自然科学基金61504167;中国科学院百人计划批准号:Y429941233资助的课题.* Project supported by the National Science Foundation of ChinaGrant 61504167;the “100 Talents Project” of Chinese Axademy of Sciences, ChinaGrant Y429941233

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：164203-1-164203-6