铝纳米晶的低温导电特性研究
采用真空热压技术将电磁感应加热-自悬浮定向流法制备的铝纳米粉末压制成块体样品。通过X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜及X射线能谱分析了铝纳米晶的微观结构,并用四探针法测量了不同温度下(8—300 K)样品的电阻率,研究了铝纳米晶的电阻率(ρ)随温度的变化规律。结果表明:由于晶界(非晶氧化铝)对电子的散射以及晶界声子对电子的散射效应,低温(<40 K)下,铝纳米晶的本征电阻率随温度变化关系明显不同于粗晶铝,不仅呈现出T4变化,还表现出显著的T3变化规律。因晶界等缺陷和非晶氧化铝杂质对电子的散射,铝纳米晶残余电阻率比粗晶铝电阻率大5—6个数量级。
铝纳米晶、电阻率、声子-电子散射、晶界
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O4 ;TG1
2016-07-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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