双层h-BN/Graphene结构稳定性及其掺杂特性的第一性原理研究?

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了双层h-BN/Graphene的稳定性及其掺杂特性。研究发现,双层h-BN/Graphene能带结构在K点处有一个小的带隙,在费米能处有类Graphene的线性色散关系。通过施加应变和掺杂来调节带隙,发现掺杂后费米能级附近引入的新能级,主要是N原子的贡献,掺杂后的Na原子和N, C之间存在电荷转移,材料转变为金属性。电荷的转移、载流子密度的增加,在电子元器件中有重要的应用前景。

关键词：第一性原理、硼氮平面、原子掺杂、电子性质

所属期刊栏目：65

分类号：TN3;O48

资助基金：教育部新世纪优秀人才支持计划批准号:NCET-09-0867资助的课题.* Project supported by the New Century Excellent Talents in University in Ministry of Education of China Grant NCET-09-0867

在线出版日期：2016-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：136101-1-136101-7