双层h-BN/Graphene结构稳定性及其掺杂特性的第一性原理研究?
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了双层h-BN/Graphene的稳定性及其掺杂特性。研究发现,双层h-BN/Graphene能带结构在K点处有一个小的带隙,在费米能处有类Graphene的线性色散关系。通过施加应变和掺杂来调节带隙,发现掺杂后费米能级附近引入的新能级,主要是N原子的贡献,掺杂后的Na原子和N, C之间存在电荷转移,材料转变为金属性。电荷的转移、载流子密度的增加,在电子元器件中有重要的应用前景。
第一性原理、硼氮平面、原子掺杂、电子性质
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TN3;O48
教育部新世纪优秀人才支持计划批准号:NCET-09-0867资助的课题.* Project supported by the New Century Excellent Talents in University in Ministry of Education of China Grant NCET-09-0867
2016-07-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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