脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs（001）量子点生长的影响?

摘要：

在InAs/GaAs(001)量子点生长过程中，当InAs沉积量为0.9 ML时，利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面，由于高温下In原子的不稳定性，激光诱导的原子脱附效应被放大，样品表面出现了原子层移除和纳米孔。原子力显微镜测试表明纳米孔呈现以[1ˉ10]方向为长轴(尺寸：20—50 nm)、[110]方向为短轴(尺寸：15—40 nm)的表面椭圆开口形状，孔的深度为0.5—3 nm。纳米孔的密度与脉冲激光的能量密度正相关。脉冲激光的辐照对量子点生长产生了显著的影响：一方面由于纳米孔的表面自由能低，沉积的InAs优先迁移到孔内，纳米孔成为量子点优先成核的位置；另一方面，孔外的区域因为In原子的脱附，量子点的成核被抑制。由于带有纳米孔的浸润层表面具有类似于传统微纳加工技术制备的图形衬底对量子点选择性生长的功能，该研究为量子点的可控生长提供了一种新的思路。

关键词：InAs/GaAs量子点、脉冲激光、光致原子脱附

所属期刊栏目：65

分类号：R77;R4

资助基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目、科技部国际合作项目2013DFG12210;国家自然科学基金11504251,51302179;江苏省高校自然科学研究重大项目12KJA140001;江苏省普通高校研究生科研创新计划项目批准号:CXZZ13_0809资助的课题.@@@@* Project supported by the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions;the International Cooperation Project by MOST, China Grant No.2013DFG12210 the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11504251,51302179;the Natural Science Research Project of Jiangsu Higher Education, ChinaGrant 12KJA140001;the Post-graduate Innovation Project of Jiangsu Higher Education, ChinaGrant CXZZ13_0809

在线出版日期：2016-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：117801-1-117801-6