热退火、激光束和电子束等作用对纳米硅制备及其局域态发光特性的影响?

摘要：

在纳米晶体硅制备的过程中，晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节。热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式。实验表明：选取适当的晶化方式和参量对制备纳米硅晶体结构至关重要，特别是在制备硅量子点和量子面的过程中控制好参量，可以得到较高的发光效率。有趣的是，在实验中发现：当晶化时间较短(如低于20 min)时，可以获得较好的纳晶硅结构(如量子点结构)，对应于较好的纳晶硅光致发光(PL)和掺杂局域态发光；当晶化时间较长(如超过30 min)时，纳米晶体硅结构被破坏，致使PL谱逐渐减弱与消失。结合热退火、激光退火和电子束辐照对纳米硅晶化过程，本文建立起晶化时间对纳米硅局域态发光影响机理的物理模型，解释了晶化时间对纳米硅局域态发光的影响。

关键词：激光退火、电子束辐照、晶化、纳米硅

所属期刊栏目：65

分类号：TN3;O4

资助基金：国家自然科学基金61465003,11264007资助的课题

在线出版日期：2016-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：104202-1-104202-7