双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变

摘要：

基于准玻色方法,利用平均场理论解析求解了环境作用下双光子过程耦合腔阵列体系的哈密顿量,得到了体系序参量的解析表达式,并讨论了耗散对体系超流-Mott绝缘相变的影响.研究结果表明:双光子共振情况下系统重铸相干的腔间耦合率临界值为ZJ/β=(ZJ/β)'c(≈)0.34;双光子相互作用过程比单光子过程具有更大的耗散率,系统维持长程相干状态的时间更短,而实现重铸相干的腔间耦合率的临界值更大.

关键词：双光子过程、耦合腔阵列、超流-Mott绝缘相变、准玻色子

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资助基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant No.11274148.国家自然科学基金批准号:11274148资助的课题.

在线出版日期：2016-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：103-108