不同Sb含量p-SnO2薄膜的制备和特性?

摘要：

采用化学气相沉积方法，利用Sb2O3/SnO作为源材料，在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜，并在此基础上制作出p-SnO2：Sb/n-SnO2同质p-n结器件.研究表明，随着Sb含量的增加，样品表面变得平滑，晶粒尺寸逐渐增大，且晶体质量有所改善，发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用. Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO2呈现p型导电特性，当Sb2 O3/SnO的质量比为1：5时，其电学参数为最佳值.此外， p-SnO2：Sb/n-SnO2同质p-n结器件展现出良好的整流特性，其正向开启电压为3.4 V.

关键词：化学气相沉积、SnO2薄膜、Sb掺杂、同质p-n结

分类号：O6 ;O64

资助基金：国家自然科学基金11004020;辽宁省自然科学基金2014020004;中国科学院空间激光通信及检验技术重点实验室开放基金批准号:KJJG10-1资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11004020;the Natural Science Foundation of Liaoning Province, ChinaGrant 2014020004;the Key Laboratory of Space Laser Communication and Testing Technology, Chinese Academy of SciencesGrant KJJG10-1

在线出版日期：2016-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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