利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性?

摘要：

利用N型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO)作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性。实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指数截止的幂律特性，并与直接吸附在SiO2玻片上的单CdSe/ZnS量子点的荧光特性进行比较。研究发现处于ITO中的单量子点比SiO2玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级，掺杂于ITO中的单量子点的荧光寿命约减小为SiO2玻片上的单量子点的荧光寿命的41%，并且寿命分布宽度变小50%。

关键词：单量子点、半导体纳米材料、荧光闪烁、荧光寿命

分类号：TN3;O4

资助基金：国家重点基础研究发展计划2012CB921603;国家自然科学基金11374196,11174187,10934004,11204166,11404200;教育部长江学者和创新团队发展计划IRT13076;教育部博士点基金20121401120016;山西省留学回国人员科技活动择优项目资助的课题.* Project supported by the National Basic Program of ChinaGrant 2012CB921603;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .11374196,11174187,10934004,11204166,11404200;the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University of Ministry of Education of ChinaGrant IRT13076;the Doctoral Foundation of the Education Ministry of ChinaGrant 20121401120016;the Program for the Scientific Activities of Selected Returned Overseas Professionals in Shanxi Province, China

在线出版日期：2016-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：247803-0-247803-8