NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应?

摘要：

NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时， NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中，由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE ，此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE 上，实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加。为了区分这两种不同机理对电压的贡献，本文采取旋转外加静磁场的方法，通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE 的大小。研究结果表明，相比于单层NiFe(20 nm)薄膜样品， NiFe(20 nm)/Pt(10 nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt 中导致铁磁共振线宽增加。与逆自旋霍尔效应产生的电压相比，自旋整流效应的贡献较小，但不可忽略。本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应，并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法。

关键词：铁磁共振、自旋整流效应、自旋抽运、逆自旋霍尔效应

分类号：TN1;O76

资助基金：国家自然科学基金批准号:61471095资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 61471095

在线出版日期：2016-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：247202-0-247202-6