合成温度和N2/O2流量比对碳纤维衬底上生长的SnO2纳米线形貌及场发射性能影响?

摘要：

采用化学气相沉积法系统研究了合成温度和N2/O2流量对生长在碳纤维衬底上的SnO2纳米线形貌及场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM), X射线衍射(XRD)及能谱仪(EDS)对产物细致表征,结果表明, SnO2纳米线长径比随反应温度的升高而增大；随N2/O2流量比值的增大先增大后变小,场发射测试表明,合成温度780?C, N2/O2流量比为300：3时SnO2纳米线阵列具有最佳的场发射性能,开启电场为1.03 V/μm,场强增加到1.68 V/μm时,发射电流密度达0.66 mA/cm2,亮度约2300 cd/m2。

关键词：化学气相沉积、纳米氧化锡、形貌调控、场致发射

分类号：TN3;TB3

资助基金：福建省自然科学基金2012J01185;福州大学场致发射显示教育部工程研究中心开放基金KF1016;福州市科技局项目2014-G-81资助的课题

在线出版日期：2016-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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