超薄高速率单结微晶硅薄膜电池及其叠层电池?

摘要：

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO：Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅(μc-Si：H )材料(沉积速率达10.57?/s)应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速率超薄微晶硅单结太阳电池(本征层厚度为1.1μm).并提出插入n型微晶硅和p型微晶硅的隧穿复合结,实现了非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的低损电连接,由此获得了初始效率高达12.03%(Voc =1.48 eV, Jsc =11.67 mA/cm2, F F =69.59%)的非晶硅/微晶硅超薄双结叠层电池(总厚度为1.48μm),为实现低成本生产太阳电池奠定了基础。

关键词：微晶硅薄膜太阳电池、超薄、高速率、隧穿复合结

分类号：TP3;TM9

资助基金：国家高技术研究发展计划2013AA050302;国家自然科学基金61474065,61404074;天津市应用基础与前沿技术研究计划重点项目15JCZDJC31300,14JCQNJC02100;江苏省科技支撑计划项目重点项目BE2014147-3;高等学校博士学科点专项科研基金批准号:20120031110039资助的课题.* Project supported by the National High Technology Research and Development Program of ChinaGrant 2013AA050302;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61474065,61404074;the Key Research Program of Application Foundation and Advanced Technology of Tianjin, ChinaGrant .15JCZDJC31300,14JC-QNJC02100;the Key Project in the Science and Technology Pillar Program of Jiangsu Province, ChinaGrant BE2014147-3;the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant 20120031110039

在线出版日期：2015-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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