强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响?

摘要：

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明：2H-SiC平衡晶格参数a 和c随电子温度T e的升高逐渐增大；电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体,当T e超过2.25 eV达到2.5 eV以上时,2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体；随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度T e大于3.5 eV以后,价带顶穿越费米能级；电子温度T e在0—2.0 eV变化时,带隙随电子温度升高而增大；T e在2.0—3.5 eV范围变化时,带隙随电子温度升高而快速地减少,表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度T e的继续升高而增强.在T e =0,5.0 eV 处,计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度.电子结构表明T e =0 eV时,2H-SiC是一个带隙为2.3 eV的半导体；在T e =5.0 eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过程,过渡到金属状态。

关键词：2H-SiC、电子特性、激光照射、密度泛函微扰理论

分类号：TN3;O47

资助基金：国家科技部支撑计划批准号:2014GB111001,2014GB125000资助的课题.?* Project supported by the National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology of China Grant .2014GB111001,2014GB125000

在线出版日期：2015-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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