纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究?

摘要：

器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战。针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关。采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中, LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因。质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素。质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大；临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应。

关键词：质子、纳米随机静态存储器、单粒子多位翻转、角度效应

分类号：TL5;O57

资助基金：国家科技重大专项2014ZX01022-301资助的课题

在线出版日期：2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：216103-1-216103-8