PTCBI作为阴极修饰层对Rubrene/C70器件性能的影响?

摘要：

制备了结构为ITO/MoO3(6 nm)/Rubrene (30 nm)/C70(30 nm)/PTCBI(x nm)/Al (150 nm)器件,研究了四羧基苝的衍生物PTCBI作为阴极修饰层对Rubrene/C70有机太阳能电池的作用.实验结果显示,在C70与Al电极之间插入PTCBI后,电池性能得到明显改善；分析表明,插入PTCBI后,活性层与阴极形成了良好的欧姆接触,提高了器件的内建电场,同时PTCBI避免了激子与Al电极的接触,减少了在制备过程中高动能Al对C70的破坏.进一步考察了PTCBI厚度对电池的性能的影响,结果显示,厚度为6 nm的PTCBI层器件性能最佳,其开路电压(VOC)、填充因子(FF)、短路电流密度(JSC)与功率转换效率(ηP)与未插入PTCBI修饰层的器件相比分别提高了70.4%,55.5%,125.1%,292.2%.当PTCBI的厚度大于6 nm时,激子解离后产生的自由电子会在PTCBI与阴极界面积累,导致器件J-V 曲线出现S形。

关键词：有机太阳能电池、异质结、阴极修饰、PTCBI

分类号：TN3;TN2

资助基金：广东省自然科学基金S2013010012856资助的课题

在线出版日期：2015-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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