用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响
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用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响

引用
利用水热法合成了Bi2 Te3纳米粉末,并在300—500?C的温度范围内对其进行等离子烧结. X射线衍射测试表明制得的Bi2Te3粉末是单相的.对于300—500?C范围内烧结的样品,扫描电子显微镜观察发现随着烧结温度的升高样品颗粒明显增大,但是根据X射线衍射峰的宽度计算得到的样品晶粒大小并没有明显的变化.正电子湮没寿命测试结果表明,所有的样品中均存在空位型缺陷,而这些缺陷很可能存在于晶界处.正电子平均寿命随着烧结温度的升高而单调下降,说明较高的烧结温度导致了空位型缺陷浓度的降低.另外,随着烧结温度从300?C升高到500?C,样品的热导率从0.3 W·m?1·K?1升高到了2.4 W·m?1·K?1,这表明在纳米Bi2Te3中,空位型缺陷和热导率之间存在着密切的联系。

Bi2 Te3、正电子、空位型缺陷、热导率

O57;TG1

国家自然科学基金11275143,11305117资助的课题

2015-11-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

207804-0-207804-6

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1000-3290

11-1958/O4

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