镧掺杂BaSnO3薄膜的电学和光学特性?

摘要：

利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m0(m0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律,而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性。

关键词：镧掺杂BaSnO3薄膜、载流子有效质量、光学性质

分类号：TG1;TB3

资助基金：国家自然科学基金51202195,51172183,61471301;陕西省自然科学基金2014JQ6218资助的课题

在线出版日期：2015-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：207303-0-207303-5