AlN插入层对AlxGa1-xN/GaN界面电子散射的影响?
本文研究AlN作为AlxGa1?xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1?xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1?xN/AlN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系;结果表明,2DEG浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度,插入一层1—3 nm薄的AlN层,可以明显提高电子迁移率。
二维电子气浓度、迁移率、界面粗糙度散射、合金无序散射
TN3;TB3
国家自然科学基金批准号:60976070资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 60976070
2015-11-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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197303-1-197303-7