多晶TaN1-δ薄膜的电输运性质研究?

摘要：

利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1?δ薄膜，并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究。薄膜呈多晶结构，并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明， TaN1?δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质；随着温度的升高，薄膜在10—30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质；在70 K以上，热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为。我们的结果表明： TaN1?δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数。

关键词：电输运性质、颗粒薄膜、跳跃电导

分类号：O4 ;TG1

资助基金：国家自然科学基金11174216;高校博士点基金批准号:20120032110065资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11174216;the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant 20120032110065

在线出版日期：2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：197302-1-197302-7