多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响?

摘要：

本文主要讨论了多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响，得到了器件沟道沿[100]方向时，硅通孔之间的角度和间距对电子迁移率和阻止区的影响。设定两种阻止区区域，即迁移率变化分别为5%和10%的区域，且主要考虑相邻TSV之间的区域。仿真结果表明：当硅通孔和X轴所成角度为π/4时，电子迁移率变化和阻止区区域最小，但是可布置器件区域不规则，不易于布局。随着间距的增加，电子迁移率变化和阻止区区域逐渐增大，趋向于单个TSV的情况；当角度为0时，电子迁移率变化和阻止区区域变大，可布置器件区域为硅通孔围成的中心小区域上，形状比较规则，便于布局。而且随着间距的增加，电子迁移率变化和阻止区区域越来越小，趋向于单个硅通孔的情况。

关键词：硅通孔、热应力、迁移率变化、阻止区

分类号：TU4;TP3

资助基金：国家自然科学基金61334003资助的课题

在线出版日期：2015-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：176601-1-176601-8