具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件?

摘要：

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)，在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上，提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS)。这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题，使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿，而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用，提高N型缓冲层浓度，从而降低了器件的比导通电阻。利用三维仿真软件ISE分析表明，在漂移区长度均为10μm的情况下， P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右，较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右。

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件、超级结、比导通电阻、P型覆盖层

分类号：TN4;TN3

资助基金：陕西省科技统筹创新工程计划DF0105142502;国家重点基础研究发展计划2014CB339900,2015CB351906;国家自然科学基金重点项目批准号:61234006,61334002资助的课题.@@@@* Project supported by the Science and Technology Innovation Project of Shaanxi Province, ChinaGrant DF0105142502;the National Basic Research Program of ChinaGrant .2014CB339900,2015CB351906;the Key Program of the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61234006,61334002

在线出版日期：2015-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：167304-1-167304-7