一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法?

摘要：

非晶InGaZnO(a-IGZO)薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中，这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷，影响a-IGZO薄膜晶体管线性区迁移率、沟道电子浓度等，进而影响线性区的电学性能。本文基于线性区沟道迁移率与沟道内的自由电荷与总电荷的比值成正比，分离出自由电荷以及陷阱态电荷。由转移特性和电容电压特性得到自由电荷以及陷阱态电荷对表面势的微分，分离出自由电子浓度和陷阱态浓度。通过对沟道层与栅绝缘层界面运用泊松方程以及高斯定理，考虑了沟道表面势与栅压的非均匀性关系，得出自由电子浓度以及陷阱态浓度与表面势的关系，最后通过陷阱态浓度与表面势求导得到线性区对应的态密度。

关键词：非晶InGaZnO、薄膜晶体管、陷阱态、迁移率

分类号：TN3;TN7

资助基金：国家自然科学基金批准号:61274085资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 61274085

在线出版日期：2015-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：137101-1-137101-5