锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真?

摘要：

本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)抗单粒子性能的方法。利用半导体器件模拟工具，针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟，分析了伪集电极对SiGe HBT电荷收集机理的影响。结果表明，引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力，加固后SiGe HBT伪集电极通过扩散机理，大量收集单粒子效应产生的电荷，有效地减少了实际集电极的电荷收集量，发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低，加固设计后SiGe HBT的单粒子效应敏感区域缩小，有效的提高了SiGe HBT 器件抗单粒子效应辐射性能。此项工作的开展为SiGe HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础。

关键词：锗硅异质结双极晶体管、单粒子效应、加固设计、伪集电极

资助基金：国家自然科学基金61274106资助的课题

在线出版日期：2015-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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