离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究

摘要：

本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体，发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型，且由两个不同电学特性的电子层组成：低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层。通过分析不同温度下的迁移率谱，表明表面电子层的迁移率不随温度而变化，而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致。不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀。另外，通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2—3个数量级。

关键词：离子束刻蚀、迁移率谱、表面电子层、体电子层

在线出版日期：2015-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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