氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?

摘要：

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化；正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加,引起晶体晶格畸变；氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷,缺陷浓度不断减少；团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应,缺陷浓度表现为不断减少.多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升,晶体内部各类缺陷表现为同步变化.实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱,而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.

关键词：正电子湮没、KH2 PO4晶体、氘化、微观缺陷

资助基金：国家自然科学基金11175171;国家自然科学基金青年科学基金批准号:11404301资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11175171;the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11404301

在线出版日期：2015-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：097802-1-097802-6