基于蒙特卡洛方法的钛氧化物忆阻器辐射损伤研究

摘要：

纳米钛氧化物忆阻器有望成为新一代阻性存储器基本单元并应用于辐射环境中的航天器控制及数据存储系统。辐射能量，强度，方向，持续时间等要素发生改变均可能对钛氧化物忆阻器受到的辐射损伤构成影响，然而，目前尚无相关具体研究。基于以蒙特卡洛方法为核心的SRIM仿真，本文针对宇宙射线主体组成部分——质子及α射线定量研究了各个辐射要素与钛氧化物忆阻器辐射损伤的关联，依据器件实测数据研究了辐射要素与导通阻抗，截止阻抗及氧空缺迁移率等忆阻器主要参数的关系，进一步利用SPICE仿真讨论了辐射对杂质漂移与隧道势垒共存特性的影响，从而为评估及降低钛氧化物忆阻器辐射损伤，提高器件应用于辐射环境的可靠性提供依据。

关键词：钛氧化物忆阻器、宇宙射线、辐射损伤、SRIM

分类号：TB3;X70

资助基金：国家自然科学基金61471377, F011801资助的课题

在线出版日期：2015-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：078401-1-078401-10