拓扑绝缘体（Bi0.5Sb0.5）2Te3薄膜中的线性磁阻

摘要：

本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中，线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现：磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势，并且当温度不高于50 K时，线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时，线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.

关键词：拓扑绝缘体、薄膜、线性磁阻

分类号：TP3;TF4

资助基金：国家自然科学基金91121003,11374337;国家重点基础研究发展计划973计划2012CB921703;中国科学院资助的课题

在线出版日期：2015-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：077201-1-077201-8