3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究?

摘要：

用LaB6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-SiC/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映晶体结构的实验像转化为结构像.首先，从完整区的结构像中分辨开间距仅为0.109 nm的Si和C原子柱；随后按赝弱相位物体近似像衬理论，分析像衬随晶体厚度的变化规律，辨认出Si和C原子；进而在原子水平上得出小角晶界附近两个复合位错的核心结构，构建了结构模型并计算了模拟像.实验像与模拟像的一致程度验证了结构模型的正确性.于是，在已知完整晶体结构的前提下，仅从一帧实验高分辨像出发，推演出原子的种类和位错核心的原子组态.还讨论了3C-SiC 小角晶界的形成与晶界附近出现复合位错的关系.

关键词：解卷处理、小角晶界、位错核心结构、3C-SiC

资助基金：国家自然科学基金批准号:11474329资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 11474329

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：046801-1-046801-6