压应变Ge/（001）Si1-xGex空穴散射与迁移率模型?

摘要：

应变Ge材料因其载流子迁移率高，且与硅工艺兼容等优点，已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点。本文基于压应变Ge/(001)Si1?xGex价带结构模型，研究了压应变Ge/(001)Si1?xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系，包括空穴离化杂质散射概率、声学声子散射、非极性光学声子散射、总散射概率以及空穴各向同性、各向异性迁移率，获得了有实用价值的相关结论。本文量化模型可为应力致Ge改性半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有重要的理论参考。

关键词：锗、应变、散射、迁移率

资助基金：教育部博士点基金JY0300122503;陕西省自然科学基础研究计批准号:2014JQ8329资助的课题.* Project supported by the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant JY0300122503;the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of ChinaGrant 2014JQ8329

在线出版日期：2015-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：537-542