GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究?

摘要：

理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象。针对目前报道的GaN基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V 曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12 V,19 V,51 V和80 V GaN基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系。另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析。结果表明：高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的。这对GaN基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值。

关键词：GaN基发光二极管、高压、理想因子、串联单元

分类号：TN3;TN1

资助基金：国家科技支撑计划批准号:2011BAE01B14资助的课题.* Project supported by the National Key Technologies R&D Program Grant 2011BAE01B14

在线出版日期：2015-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：017303-1-017303-5