硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究?

摘要：

本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2 O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6?C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6 V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60?C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.

关键词：二氧化钒、电致相变、硅基片、氧化铝

分类号：TN3;TQ1

资助基金：国家自然科学基金重点项目61131005;教育部科学技术研究重大项目313013;国家高技术研究发展计划2011AA010204;教育部新世纪优秀人才资助计划NCET-11-0068;四川省杰出青年学术技术带头人计划2011JQ0001;高校博士点专项科研基金批准号:20110185130002资助的课题.* This work is financially supported by National Nature Science Foundation of ChinaGrant 61131005;Keygrant Project of Chinese Ministry of EducationGrant 313013;National High-tech Research and Development ProjectsGrant 2011AA010204;New Century Excellent Talent FoundationGrant NCET-11-0068;Sichuan Youth S T foundationGrant 2011JQ0001;the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher EducationGrant 20110185130002

在线出版日期：2015-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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