应用于相变存储器的Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的结构及相变特性研究?

摘要：

采用磁控溅射法制备了不同Cu含量的Cu-Ge3Sb2Te5薄膜，原位测试了薄膜电阻与温度的关系，并利用X射线衍射仪、透射电镜、透过和拉曼光谱仪分别研究了Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的晶体结构、微结构、禁带宽度及成键情况。结果表明， Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的结晶温度和结晶活化能随着Cu含量的增加而增大， Cu的加入有效改善Ge3Sb2Te5薄膜的热稳定性和10年数据保持力。随着Cu含量的增加，非晶态Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的禁带宽度逐渐减小。同时，拉曼峰从129 cm?1向127 cm?1处移动，这是由于Cu—Te极性键振动增强的缘故。 Cu-Ge3Sb2Te5结晶为均匀、相互嵌套的六方Cu2Te和Ge2Sb2Te5相。

关键词：薄膜、相变、结构

分类号：TB3;TN4

资助基金：国家自然科学基金61306147,61377061;宁波市自然科学基金2014A610121;宁波大学王宽城幸福基金资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61306147,61377061;the National Natural Science Foundation of NingboGrant 2014A610121;the Magna Fund in Ningbo University sponsored by K. C. Wong

在线出版日期：2015-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：016103-1-016103-7