InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法?

摘要：

讨论了计算InGaAsSb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法，比较了它们的计算结果。将两者化成相同形式下的等价公式后发现，二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响。通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响，提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算InGaAsSb禁带宽度的新方法。研究结果表明，该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法。

关键词：InGaAsSb、禁带宽度、弯曲因子

分类号：O64;TG1

资助基金：国家自然科学基金61076039,61204065,61205193,61307045;高等学校博士学科点专项科研基金20112216120005;吉林省科技发展计划20121816,201201116;高功率半导体激光国家重点实验室基金批准号:9140C310101120C031115资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61076039,61204065,61205193,61307045;the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant 20112216120005;the Developing Project of Science and Technology of Jilin Province, ChinaGrant .20121816,201201116;the National Key Laboratory of High-Power Semiconductor Lasers Foundation, ChinaGrant 9140C310101120C031115

在线出版日期：2015-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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