多孔氧化铝薄膜的光致发光起源：三种缺陷中心?

摘要：

在草酸溶液中用二次阳极氧化法制备了纳米多孔氧化铝薄膜,分析了制备过程中氧化铝薄膜中缺陷的形成机理.场发射电子显微镜给出了薄膜的表面形貌和结构.X射线色散能谱和傅里叶红外透射光谱测试表明,进入薄膜中的草酸杂质加热到500?C未全部分解.对多孔氧化铝薄膜的光致发光PL光谱做了高斯拟合,结合测试结果和薄膜中的缺陷分析指出：多孔氧化铝薄膜的发光由F+,F和草酸杂质相关缺陷引起,对应发光中心分别在402,433,475 nm处,并提出F中心起主导作用.对不同草酸浓度中制备的多孔氧化铝薄膜的PL光谱讨论指出：随草酸浓度增加,三种发光中心的峰位不会发生变化,但相对强度发生改变,F+中心和F中心减少,草酸杂质相关发光中心增加, PL峰红移.最后提出通过控制草酸浓度来控制多孔氧化铝薄膜中的草酸杂质.此研究将对多孔氧化铝薄膜发光起源和机理有更深入的理解,同时也为多孔氧化铝薄膜的制备提供一种全新的思路.

关键词：多孔氧化铝薄膜、光致发光中心、缺陷机理、杂质控制

分类号：O4 ;O73

资助基金：国家自然科学基金11065009;新疆研究生科研创新项目批准号:XJGRI2014014资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11065009;the Xinjiang Graduate Research Innovation Project, ChinaGrant XJGRI2014014

在线出版日期：2015-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：247802-1-247802-8