光催化半导体Ag2ZnSnS4的第一性原理研究?

摘要：

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，对光催化水解半导体Ag2 ZnSnS4的改性方案做了理论研究。在与同类化合物的带边位置比较后发现， Cu与Ge共掺杂能够在Ag2 ZnSnS4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节，从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态。另外， CuGaSe2可与Ag2 ZnSnS4形成type-II型带阶结构，制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能。

关键词：光催化半导体、Ag2ZnSnS4、带阶、电子结构优化

分类号：TQ0;TL2

资助基金：国家自然科学基金61204104,11104069,51271061,61475045;广西自然科学基金2014GXNSFCA118002;广西大学科研基金XGZ130718;湖南省光电信息集成与光学制造技术重点实验室资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61204104,11104069,51271061,61475045;the Natural Science Foundation of Guangxi Province, ChinaGrant 2014GXNSFCA118002;the Scientific Research Foundation of Guangxi University, ChinaGrant XGZ130718;the Hunan Provincial Key Laboratory of Photoelectric Information Integration and Optical Manufacturing Technology

在线出版日期：2015-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：247101-1-247101-6