具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究?

摘要：

针对具有poly-Si1?xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-Si1?xGex栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-Si1?xGex栅及应变SiGe层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响.研究了应变SiGe PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响,以及引起应变SiGe PMOSFET阈值电压漂移的机理,并建立了该器件阈值电压漂移模型,揭示了器件阈值电压漂移随电应力施加时间、栅极电压、poly-Si1?xGex栅及应变SiGe层中Ge组分的变化关系.并在此基础上进行了实验验证,在电应力施加10000 s时,阈值电压漂移0.032 V,与模拟结果基本一致,为应变SiGe PMOSFET及相关电路的设计与制造提供了重要的理论与实践基础.

关键词：应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管、poly-Si1-xGex栅、热载流子、阈值电压

分类号：TN3;TN4

资助基金：教育部博士点基金JY0300122503;中央高等学校基本科研基金批准号:K5051225014, K5051225004资助的课题.* Project supported by the Doctoral Foundation of Ministry of Education, ChinaGrant JY0300122503;Fundamental Research Funds for the Central Universities of ChinaGrant . K5051225014, K5051225004

在线出版日期：2015-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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