具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究?
应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管、poly-Si1-xGex栅、热载流子、阈值电压
TN3;TN4
教育部博士点基金JY0300122503;中央高等学校基本科研基金批准号:K5051225014, K5051225004资助的课题.* Project supported by the Doctoral Foundation of Ministry of Education, ChinaGrant JY0300122503;Fundamental Research Funds for the Central Universities of ChinaGrant . K5051225014, K5051225004
2015-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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