Ge掺杂对InI导电性能影响的第一性原理研究?

摘要：

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下对不同浓度Ge掺杂的InI导电性能进行了研究.建立了由不同浓度的Ge原子替代In原子的In1?xGexI (x=0,0.125,0.25)模型.对低温下高掺杂Ge原子的In1?xGexI半导体的优化参数、总态密度、能带结构进行了计算.结果表明： Ge的掺入使In1?xGexI材料的体积减小,总能量升高,稳定性降低；Ge原子浓度越大,进入导带的相对电子数量越多, In1?xGexI电子迁移率减小,电阻率增大,同时最小光学带隙也增大,有利于改善体系的核探测性能.

关键词：Ge高掺杂InI、电阻率、第一性原理

分类号：TQ3;TQ2

资助基金：河北省应用基础研究计划重点基础研究项目13961103D;中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金CJ20120208;河北省高层次人才资助项目C2013003040;燕山大学青年教师自主研究计划批准号:13LGA011资助的课题.* Project supported by the Key Basic Research Project of the Applied Basic Research Programs of Hebei Province, ChinaGrant 13961103D;the Innovation Project of the 46th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, ChinaGrant CJ20120208;the High-level Talents Funded Projects of Hebei Province, ChinaGrant C2013003040;the Young Teachers Independent Research Projects of Yanshan University, ChinaGrant 13LGA011

在线出版日期：2015-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：237101-1-237101-6