刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

摘要：

为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应，研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构。通过对槽内电场进行分析，证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应。利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟，跟踪次级电子的轨迹及发展趋势，获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度。讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响。该结构有望在高功率速调管中获得应用。

关键词：盒形窗、半圆弧槽、次级电子倍增、蒙特卡罗模拟

分类号：TS9;TN1

资助基金：国家重点基础研究发展计划批准号:2013CB328901资助的课题.* Project supported by the National Basic Research Program of China Grant 2013CB328901

在线出版日期：2014-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：227902-1-227902-7