圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

摘要：

基于Monte Carlo模拟算法，建立了粒子输运模型，通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真，获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律。结果表明：在微波输入端，指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用，在电场强度较高的区域倍增剧烈，有质动力对倍增无贡献；在微波输出端，受背离窗片表面磁场力的影响，在表面静电场较弱的情况下，次级电子倍增不能发生；当表面静电场足以维持单面倍增的发生，随着传输功率的增大，电子渡越时间增长，有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域。对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证。

关键词：圆窗片、TE11模、次级电子倍增、Monte Carlo模拟

分类号：TS9;TN1

资助基金：国家重点基础研究发展计划批准号:2013CB328901资助的课题.* Project supported by the National Basic Research Program of China Grant 2013CB328901

在线出版日期：2014-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：227901-1-227901-8