高能电子照射绝缘样品的泄漏电流特性

摘要：

建立了考虑电子散射、输运、俘获和自洽场的数值计算模型，研究了高能电子束照射下绝缘厚样品的泄漏电流特性，并采用一个实验平台测量了泄漏电流。结果表明：在电子束持续照射下，电子总产额会下降；由于电子在样品内部的输运，样品近表面呈现微弱的正带电，在样品内部呈现较强的负带电；样品内部电子会向下输运形成电子束感生电流，长时间照射下会形成泄漏电流；随着照射，泄漏电流逐渐增大并趋于稳定值；泄漏电流随样品厚度的增大而减小，随电子束能量、电子束电流的增大而增大。

关键词：绝缘样品、泄漏电流、电子产额、数值模拟

分类号：TN3;TN4

资助基金：国家自然科学基金11175140;陕西省自然科学基金项目批准号:2013JM8001资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11175140;the Scientific Research Program Funded by Shaanxi Province, ChinaGrant 2013JM8001

在线出版日期：2014-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：227303-1-227303-7